Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
STB6NK60Z-1
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STB6NK60Z-1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
RFQ Online
12880459
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STB6NK60Z-1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
SuperMESH™
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
905 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
110W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
I2PAK
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
STB6NK60
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
STx6NK60Z(FP-1)
Informații suplimentare
Alte nume
497-5955-5
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FQI8N60CTU
PRODUCĂTOR
Fairchild Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
6985
DiGi NUMĂR DE PARTE
FQI8N60CTU-DG
PREȚ UNIC
1.12
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRFSL9N60APBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
900
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFSL9N60APBF-DG
PREȚ UNIC
1.21
TIP SUBSTITUT
Direct
NUMĂRUL PARTEI
FQI7N60TU
PRODUCĂTOR
Fairchild Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
1000
DiGi NUMĂR DE PARTE
FQI7N60TU-DG
PREȚ UNIC
1.32
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRFBC30ALPBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFBC30ALPBF-DG
PREȚ UNIC
0.74
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRFBC40LPBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFBC40LPBF-DG
PREȚ UNIC
2.04
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STL24NM60N
MOSFET N-CH 600V 16A POWERFLAT
STB25NM50N-1
MOSFET N-CH 500V 22A I2PAK
STT3PF30L
MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT23-6
STE40NK90ZD
MOSFET N-CH 900V 40A ISOTOP