FQI8N60CTU

Numărul de produs al producătorului:

FQI8N60CTU

Product Overview

Producător:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

FQI8N60CTU-DG

Descriere:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

Descriere detaliată:

N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)

Inventar:

6985 Piese Noi Originale În Stoc

12946703

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

FQI8N60CTU Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Ambalare

Bulk

Serie

QFET®

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

600 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

7.5A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 3.75A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

36 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1255 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

3.13W (Ta), 147W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

I2PAK (TO-262)

Pachet / Carcasă

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Numărul de bază al produsului

FQI8N60

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

2156-FQI8N60CTU

ONSONSFQI8N60CTU

Pachet standard

254

Clasificare de Mediu și Export

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.39.0001

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

international-rectifier

IRLR2905ZTRLPBF

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

fairchild-semiconductor

FQP7P06

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

international-rectifier

IRF430

500V, N-CHANNEL REPETITIVE AVALA

fairchild-semiconductor

FDMC8327L

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1