Numărul de produs al producătorului:
STU2LN60K3
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STU2LN60K3-DG
Descriere:
MOSFET N CH 600V 2A IPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventar:
100 Piese Noi Originale În Stoc
12879051
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STU2LN60K3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
SuperMESH3™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
235 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
45W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-251 (IPAK)
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
STU2LN60
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
497-13393-5
-497-13393-5
Pachet standard
75
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STD6NM60N-1
MOSFET N-CH 600V 4.6A IPAK
STL31N65M5
MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT88
STD110N8F6
MOSFET N-CH 80V 80A DPAK