Numărul de produs al producătorului:
STD6NM60N-1
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STD6NM60N-1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 4.6A IPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 4.6A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventar:
12879054
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STD6NM60N-1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
-
Serie
MDmesh™ II
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
920mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
420 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
45W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-251 (IPAK)
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
STD6N
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
75
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STU10N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
59
DiGi NUMĂR DE PARTE
STU10N60M2-DG
PREȚ UNIC
1.24
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STL31N65M5
MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT88
STD110N8F6
MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
STD2NK60Z-1
MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK
