Numărul de produs al producătorului:
STD110N8F6
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STD110N8F6-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
2459 Piese Noi Originale În Stoc
12879062
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STD110N8F6 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
STripFET™ F6
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9130 pF @ 40 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
167W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DPAK
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
STD110
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
497-16032-6
497-16032-1
497-16032-2
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STD2NK60Z-1
MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK
STP10NM50N
MOSFET N-CH 500V 7A TO220
STB95N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK