Numărul de produs al producătorului:
STL33N60M2
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STL33N60M2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 22A PWRFLAT HV
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Inventar:
12880448
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STL33N60M2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ II Plus
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
135mOhm @ 10.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1700 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
190W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerFlat™ (8x8) HV
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Numărul de bază al produsului
STL33
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
-497-14969-6
497-14969-2
497-14969-1
497-14969-6
-497-14969-2
-497-14969-1
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STB21NM60N
MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
STWA50N65DM2AG
MOSFET N-CH 650V 38A TO247
STB6NK60Z-1
MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK
