Numărul de produs al producătorului:
STF10N62K3
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STF10N62K3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220FP
Descriere detaliată:
N-Channel 620 V 8.4A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventar:
12875914
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STF10N62K3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
SuperMESH3™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
620 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8.4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1250 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
30W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220FP
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
STF10
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFIB6N60APBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
900
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFIB6N60APBF-DG
PREȚ UNIC
1.71
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
R6007KNX
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
R6007KNX-DG
PREȚ UNIC
1.02
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SCT30N120D2
SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
STP18N60M6
MOSFET N-CH 600V 13A TO220
STI32N65M5
MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
