Numărul de produs al producătorului:

SCT30N120D2

Product Overview

Producător:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Cod de parte:

SCT30N120D2-DG

Descriere:

SICFET N-CH 1200V 40A HIP247

Descriere detaliată:

N-Channel 1200 V 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™

Inventar:

RFQ Online

12875915

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

SCT30N120D2 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

STMicroelectronics

Ambalare

-

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

SiCFET (Silicon Carbide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

1200 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

40A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 20A, 20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

105 nC @ 20 V

Vgs (Max)

+25V, -10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1700 pF @ 400 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

270W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 200°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

HiP247™

Pachet / Carcasă

TO-247-3

Numărul de bază al produsului

SCT30

Informații suplimentare

Pachet standard

490

Clasificare de Mediu și Export

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

stmicroelectronics

STP18N60M6

MOSFET N-CH 600V 13A TO220

stmicroelectronics

STI32N65M5

MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK

stmicroelectronics

STH52N10LF3-2AG

MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2

STU6N60DM2

MOSFET N-CH 600V 5A IPAK