STP18N60M6
Numărul de produs al producătorului:

STP18N60M6

Product Overview

Producător:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Cod de parte:

STP18N60M6-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 600V 13A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220

Inventar:

12875916
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

STP18N60M6 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
MDmesh™ M6
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
650 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
110W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
STP18

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard
1,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
FCP220N80
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
180
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCP220N80-DG
PREȚ UNIC
4.93
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
stmicroelectronics

STI32N65M5

MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK

stmicroelectronics

STH52N10LF3-2AG

MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2

stmicroelectronics

STU6N60DM2

MOSFET N-CH 600V 5A IPAK

stmicroelectronics

STL15N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV