Numărul de produs al producătorului:
STB5N80K5
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STB5N80K5-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 4A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
205 Piese Noi Originale În Stoc
12873504
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STB5N80K5 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.75Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
177 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
60W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
STB5N80
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
-497-16923-2
-497-16923-1
-497-16923-6
497-16923-1
497-16923-2
497-16923-6
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFA7N80P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
257
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFA7N80P-DG
PREȚ UNIC
1.67
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STH265N6F6-6AG
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
STB270N4F3
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
STW35N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V TO247
