Numărul de produs al producătorului:
STH265N6F6-6AG
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STH265N6F6-6AG-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
Inventar:
12873513
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STH265N6F6-6AG Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
-
Serie
STripFET™ F6
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.1mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
183 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
11800 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
H2PAK-6
Pachet / Carcasă
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Numărul de bază al produsului
STH265
Informații suplimentare
Alte nume
-497-15472-2
497-15472-6
-497-15472-6
497-15472-2
497-15472-1
-497-15472-1
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPB017N06N3GATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
9000
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB017N06N3GATMA1-DG
PREȚ UNIC
1.54
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STB270N4F3
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
STW35N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V TO247
STWA88N65M5
MOSFET N-CH 650V 84A TO247
