STW35N60M2-EP
Numărul de produs al producătorului:

STW35N60M2-EP

Product Overview

Producător:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Cod de parte:

STW35N60M2-EP-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 600V TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 26A (Tc) Through Hole TO-247

Inventar:

12873519
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

STW35N60M2-EP Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
-
Serie
MDmesh™ M2-EP
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (Max)
-
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
-
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
STW35N

Informații suplimentare

Pachet standard
600

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
stmicroelectronics

STWA88N65M5

MOSFET N-CH 650V 84A TO247

stmicroelectronics

STL13NM60N

MOSFET N-CH 600V 10A PWRFLAT HV

stmicroelectronics

STD140N6F7

MOSFET N-CH 60V 80A DPAK

stmicroelectronics

STI21NM60ND

MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK