Numărul de produs al producătorului:
SCTWA90N65G2V-4
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
SCTWA90N65G2V-4-DG
Descriere:
TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 119A (Tc) 565W (Tc) Through Hole HiP247™ Long Leads
Inventar:
12948526
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SCTWA90N65G2V-4 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
119A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
157 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3380 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
565W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
HiP247™ Long Leads
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
SCTWA90
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
497-SCTWA90N65G2V-4
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
MSC015SMA070B4
PRODUCĂTOR
Microchip Technology
CANTITATE DISPONIBILĂ
54
DiGi NUMĂR DE PARTE
MSC015SMA070B4-DG
PREȚ UNIC
27.49
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SCTL35N65G2V
TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
RX3G07CGNC16
MOSFET N-CH 40V 70A TO220AB
RV4E031RPHZGTCR1
MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W
