RX3G07CGNC16
Numărul de produs al producătorului:

RX3G07CGNC16

Product Overview

Producător:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

RX3G07CGNC16-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 40V 70A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 70A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventar:

12948539
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

RX3G07CGNC16 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 500µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2410 pF @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
78W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
RX3G07

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
846-RX3G07CGNC16
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
rohm-semi

RV4E031RPHZGTCR1

MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W

stmicroelectronics

STL66N3LLH5

MOSFET N-CH 30V 80A POWERFLAT

epc

EPC2219

TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE

epc

EPC2055

GANFET N-CH 40V 29A DIE