Numărul de produs al producătorului:
SCTL35N65G2V
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
SCTL35N65G2V-DG
Descriere:
TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 417W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Inventar:
12948527
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SCTL35N65G2V Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
67mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1370 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
417W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerFlat™ (8x8) HV
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Numărul de bază al produsului
SCTL35
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
497-SCTL35N65G2VTR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RX3G07CGNC16
MOSFET N-CH 40V 70A TO220AB
RV4E031RPHZGTCR1
MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W
STL66N3LLH5
MOSFET N-CH 30V 80A POWERFLAT
