Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SCT2280KEC
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
SCT2280KEC-DG
Descriere:
SICFET N-CH 1200V 14A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 14A (Tc) 108W (Tc) Through Hole TO-247
Inventar:
RFQ Online
13527304
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SCT2280KEC Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
364mOhm @ 4A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -6V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
667 pF @ 800 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
108W (Tc)
Temperatura
175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
SCT2280
Fișa de date și documente
Documente de fiabilitate
MOS-2GTHD Reliability Test
Fișe tehnice
SCT2280KE
TO-247 Taping Spec
Informații suplimentare
Alte nume
SCT2280KECU
Pachet standard
360
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTX24N100
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTX24N100-DG
PREȚ UNIC
19.20
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFX32N90P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFX32N90P-DG
PREȚ UNIC
14.66
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFJ20N85X
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFJ20N85X-DG
PREȚ UNIC
8.17
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
SCT2280KEGC11
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
2220
DiGi NUMĂR DE PARTE
SCT2280KEGC11-DG
PREȚ UNIC
8.15
TIP SUBSTITUT
Direct
NUMĂRUL PARTEI
IXFR32N100Q3
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
30
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFR32N100Q3-DG
PREȚ UNIC
31.33
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RDN080N25FU6
MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
R5007ANX
MOSFET N-CH 500V 7A TO220FM
RSR030N06TL
MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
RD3U040CNTL1
MOSFET N-CH 250V 4A TO252