IXFX32N90P

Numărul de produs al producătorului:

IXFX32N90P

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXFX32N90P-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247-3

Descriere detaliată:

N-Channel 900 V 32A (Tc) 960W (Tc) Through Hole PLUS247™-3

Inventar:

RFQ Online

12820467

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IXFX32N90P Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Littelfuse

Ambalare

Tube

Serie

HiPerFET™, Polar

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

900 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

32A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

215 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

10600 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

960W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

PLUS247™-3

Pachet / Carcasă

TO-247-3 Variant

Numărul de bază al produsului

IXFX32

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

littelfuse

IXTK102N30P

MOSFET N-CH 300V 102A TO264

littelfuse

IXTN102N65X2

MOSFET N-CH 650V 76A SOT227

littelfuse

IXTY55N075T

MOSFET N-CH 75V 55A TO252

littelfuse

IXTP150N15X4

MOSFET N-CH 150V 150A TO220