Numărul de produs al producătorului:
IXTK102N30P
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTK102N30P-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 300V 102A TO264
Descriere detaliată:
N-Channel 300 V 102A (Tc) 700W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
Inventar:
47 Piese Noi Originale În Stoc
12820468
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTK102N30P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
300 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
102A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 500µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
224 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7500 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
700W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-264 (IXTK)
Pachet / Carcasă
TO-264-3, TO-264AA
Numărul de bază al produsului
IXTK102
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
25
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTN102N65X2
MOSFET N-CH 650V 76A SOT227
IXTY55N075T
MOSFET N-CH 75V 55A TO252
IXTP150N15X4
MOSFET N-CH 150V 150A TO220
