Numărul de produs al producătorului:
IXFJ20N85X
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFJ20N85X-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 850V 9.5A ISO TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 850 V 9.5A (Tc) 110W (Tc) Through Hole ISO TO-247-3
Inventar:
12819042
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFJ20N85X Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
850 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1660 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
110W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
ISO TO-247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IXFJ20
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFH6N90
MOSFET N-CH 900V 6A TO247AD
IXFK210N17T
MOSFET N-CH 170V 210A TO264AA
IXFT74N20
MOSFET N-CH 200V 74A TO268