Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
R6030ENX
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
R6030ENX-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventar:
RFQ Online
13526952
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
R6030ENX Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2100 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
40W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220FM
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
R6030
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
R6030ENX
Informații suplimentare
Alte nume
R6030ENXCT
R6030ENXCT-ND
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STF35N60DM2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
988
DiGi NUMĂR DE PARTE
STF35N60DM2-DG
PREȚ UNIC
2.39
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFP34N65X2M
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
285
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFP34N65X2M-DG
PREȚ UNIC
3.65
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
TK25A60X,S5X
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
45
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK25A60X,S5X-DG
PREȚ UNIC
1.69
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
TK25A60X5,S5X
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
1
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK25A60X5,S5X-DG
PREȚ UNIC
2.01
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RSQ020N03TR
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
RQ5E040TNTL
MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
SCT2120AFC
SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
RRH100P03TB1
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP