Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SCT2120AFC
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
SCT2120AFC-DG
Descriere:
SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 29A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
RFQ Online
13526957
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SCT2120AFC Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
156mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 3.3mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -6V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 500 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
165W (Tc)
Temperatura
175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SCT2120
Fișa de date și documente
Documente de fiabilitate
MOS-2GTHD Reliability Test
Fișe tehnice
SCT2120AFC
TO-220AB Taping Spec
Informații suplimentare
Alte nume
SCT2120AFCU
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPP65R190E6XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
580
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP65R190E6XKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.52
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
SPP24N60C3XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
129
DiGi NUMĂR DE PARTE
SPP24N60C3XKSA1-DG
PREȚ UNIC
2.95
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
TK17E65W,S1X
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
12
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK17E65W,S1X-DG
PREȚ UNIC
1.35
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFP18N65X2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
300
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFP18N65X2-DG
PREȚ UNIC
2.30
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXTP20N65X2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
279
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTP20N65X2-DG
PREȚ UNIC
2.20
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RRH100P03TB1
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
US5U2TR
MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT5
R6015ANZC8
MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
RE1L002SNTL
MOSFET N-CH 60V 250MA EMT3F