Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
TK17E65W,S1X
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK17E65W,S1X-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 17.3A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12 Piese Noi Originale În Stoc
12889729
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
U
Q
4
O
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK17E65W,S1X Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
DTMOSIV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
17.3A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 900µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 300 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
165W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
TK17E65
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
TK17E65W
Informații suplimentare
Alte nume
TK17E65W,S1X(S
TK17E65WS1X
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FCP165N60E
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
1200
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCP165N60E-DG
PREȚ UNIC
1.91
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPP60R180C7XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
572
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP60R180C7XKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.23
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STP21N65M5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
2997
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP21N65M5-DG
PREȚ UNIC
2.32
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STP28N60DM2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
220
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP28N60DM2-DG
PREȚ UNIC
1.63
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STP28N65M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
932
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP28N65M2-DG
PREȚ UNIC
1.44
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TK50E06K3A,S1X(S
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
TK12A60U(Q,M)
MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
TK28A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 27.6A TO220SIS
2SK2962,F(J
MOSFET N-CH TO92MOD