Numărul de produs al producătorului:
IXFP34N65X2M
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFP34N65X2M-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 34A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 34A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Inventar:
285 Piese Noi Originale În Stoc
12819184
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFP34N65X2M Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1.5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3230 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
40W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220 Isolated Tab
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numărul de bază al produsului
IXFP34
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
-IXFP34N65X2M
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFK48N60Q3
MOSFET N-CH 600V 48A TO264AA
IXTH80N20L
MOSFET N-CH 200V 80A TO247
IXTP32N65X
MOSFET N-CH 650V 32A TO220-3
