Numărul de produs al producătorului:
IXTH80N20L
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTH80N20L-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 80A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 80A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventar:
416 Piese Noi Originale În Stoc
12819187
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTH80N20L Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Linear
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6160 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
520W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247 (IXTH)
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IXTH80
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
-IXTH80N20L
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTP32N65X
MOSFET N-CH 650V 32A TO220-3
IXTY3N50P
MOSFET N-CH 500V 3.6A TO252AA
IXFA60N25X3
MOSFET N-CH 250V 60A TO263AA
