Numărul de produs al producătorului:
EM6K6T2R
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
EM6K6T2R-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 300mA 150mW Surface Mount EMT6
Inventar:
13072 Piese Noi Originale În Stoc
13522941
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
EM6K6T2R Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
300mA
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 300mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
25pF @ 10V
Putere - Max
150mW
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-563, SOT-666
Pachet dispozitiv furnizor
EMT6
Numărul de bază al produsului
EM6K6
Fișa de date și documente
Resurse de proiectare
Documente de fiabilitate
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
EM6K6T2RDKR
EM6K6T2RTR
EM6K6T2RCT
Pachet standard
8,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSM180D12P2C101
SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE
BSM120D12P2C005
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
BSM250D17P2E004
SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE
