Numărul de produs al producătorului:
BSM120D12P2C005
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
BSM120D12P2C005-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Descriere detaliată:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 120A (Tc) 780W Module
Inventar:
13 Piese Noi Originale În Stoc
13523465
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSM120D12P2C005 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
Silicon Carbide (SiC)
Configurație
2 N-Channel (Half Bridge)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200V (1.2kV)
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 22mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
14000pF @ 10V
Putere - Max
780W
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Pachet / Carcasă
Module
Pachet dispozitiv furnizor
Module
Numărul de bază al produsului
BSM120
Fișa de date și documente
Documente de fiabilitate
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
Q7641253
Pachet standard
12
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSM250D17P2E004
SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE
HP8KA1TB
MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
HP8M31TB1
MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
