Numărul de produs al producătorului:
BSM250D17P2E004
Product Overview
Producător:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cod de parte:
BSM250D17P2E004-DG
Descriere:
SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE
Descriere detaliată:
Mosfet Array 1700V (1.7kV) 250A (Tc) 1800W (Tc) Chassis Mount Module
Inventar:
34 Piese Noi Originale În Stoc
13523882
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSM250D17P2E004 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
ROHM Semiconductor
Ambalare
Box
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
Silicon Carbide (SiC)
Configurație
2 N-Channel (Half Bridge)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1700V (1.7kV)
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
250A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 66mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
30000pF @ 10V
Putere - Max
1800W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet / Carcasă
Module
Pachet dispozitiv furnizor
Module
Numărul de bază al produsului
BSM250
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
4
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
HP8KA1TB
MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
HP8M31TB1
MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
BSM180D12P3C007
SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE
