Numărul de produs al producătorului:
FQU13N10LTU
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQU13N10LTU-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Through Hole IPAK
Inventar:
12846052
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQU13N10LTU Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
520 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
IPAK
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
FQU13N10
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
70
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TSM900N10CH X0G
PRODUCĂTOR
Taiwan Semiconductor Corporation
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
TSM900N10CH X0G-DG
PREȚ UNIC
0.26
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
DMN10H170SK3-13
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
252806
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMN10H170SK3-13-DG
PREȚ UNIC
0.19
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSS138N-E6327
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
AOTF11C60PL
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F
AONS66612
MOSFET N-CH 60V 46A/100A 8DFN
