DMN10H170SK3-13
Numărul de produs al producătorului:

DMN10H170SK3-13

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMN10H170SK3-13-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 12A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252-3

Inventar:

252806 Piese Noi Originale În Stoc
12894728
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

DMN10H170SK3-13 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
9.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1167 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
42W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252-3
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
DMN10

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
DMN10H170SK3-13DICT
DMN10H170SK3-13DIDKR
DMN10H170SK3-13DITR
DMN10H170SK313
Pachet standard
2,500

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
diodes

DMTH4008LFDFW-7

MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN

diodes

DMN313DLT-7

MOSFET N-CH 30V 270MA SOT523

diodes

DMTH10H010LCTB-13

MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

diodes

DMTH6010SK3Q-13

MOSFET N-CH 60V 16.3A/70A TO252