Numărul de produs al producătorului:
AONS66612
Product Overview
Producător:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
AONS66612-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 46A/100A 8DFN
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 46A (Ta), 100A (Tc) 6.2W (Ta), 208W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)
Inventar:
5656 Piese Noi Originale În Stoc
12846057
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
AONS66612 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
AlphaSGT™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
46A (Ta), 100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.65mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5300 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
6.2W (Ta), 208W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-DFN (5x6)
Pachet / Carcasă
8-PowerSMD, Flat Leads
Numărul de bază al produsului
AONS666
Informații suplimentare
Alte nume
5202-AONS66612TR
785-1827-1
785-1827-2
785-1827-6
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FCP125N65S3R0
MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
AOK27S60L
MOSFET N-CH 600V 27A TO247
AOT424
MOSFET N-CH 30V 110A TO220
