Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
FQH8N100C
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQH8N100C-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 8A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
RFQ Online
12840493
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
K
I
f
2
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQH8N100C Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
QFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.45Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3220 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
225W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
FQH8N100
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
FQH8N100C-DG
Fișe tehnice
FQH8N100C
Informații suplimentare
Alte nume
2156-FQH8N100C-OS
ONSONSFQH8N100C
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STW7N95K3
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW7N95K3-DG
PREȚ UNIC
2.86
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
APT8M100B
PRODUCĂTOR
Microchip Technology
CANTITATE DISPONIBILĂ
37
DiGi NUMĂR DE PARTE
APT8M100B-DG
PREȚ UNIC
3.45
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFH12N120P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFH12N120P-DG
PREȚ UNIC
10.90
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STW10N105K5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW10N105K5-DG
PREȚ UNIC
2.07
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
FQA8N100C
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
230
DiGi NUMĂR DE PARTE
FQA8N100C-DG
PREȚ UNIC
2.49
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FQB13N10TM
MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
NTD4909N-35G
MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK
MCH3481-TL-W
MOSFET N-CH 20V 2A SC70FL/MCPH3
NTD4979NT4G
MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A DPAK