NTD4909N-35G

Numărul de produs al producătorului:

NTD4909N-35G

Product Overview

Producător:

onsemi

DiGi Electronics Cod de parte:

NTD4909N-35G-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK

Descriere detaliată:

N-Channel 30 V 8.8A (Ta), 41A (Tc) 1.37W (Ta), 29.4W (Tc) Through Hole IPAK

Inventar:

RFQ Online

12840497

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

NTD4909N-35G Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

onsemi

Ambalare

-

Serie

-

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

8.8A (Ta), 41A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

17.5 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1314 pF @ 15 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

1.37W (Ta), 29.4W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

IPAK

Pachet / Carcasă

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Numărul de bază al produsului

NTD49

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

NTD4909N-35G-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

ONSONSNTD4909N-35G

2156-NTD4909N-35G-ON

Pachet standard

75

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

MCH3481-TL-W

MOSFET N-CH 20V 2A SC70FL/MCPH3

onsemi

NTD4979NT4G

MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A DPAK

onsemi

FQA36P15_F109

MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN

onsemi

NTD5865NT4G

MOSFET N-CH 60V 43A DPAK