APT8M100B
Numărul de produs al producătorului:

APT8M100B

Product Overview

Producător:

Microchip Technology

DiGi Electronics Cod de parte:

APT8M100B-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 1000V 8A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 8A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 [B]

Inventar:

37 Piese Noi Originale În Stoc
13254280
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

APT8M100B Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microchip Technology
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1885 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
290W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247 [B]
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
APT8M100

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
APT8M100(B,S) High-Voltage Power Discretes and Modules

Informații suplimentare

Alte nume
APT8M100BMI
APT8M100BMI-ND
Pachet standard
30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
microchip-technology

APTC60DAM18CTG

MOSFET N-CH 600V 143A SP4

microchip-technology

APTM50UM09FAG

MOSFET N-CH 500V 497A SP6

microsemi

APT8M80K

MOSFET N-CH 800V 8A TO220

microchip-technology

APT5010B2LLG

MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX