Numărul de produs al producătorului:
FQA44N08
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FQA44N08-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 80V 49.8A TO3P
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 49.8A (Tc) 163W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
12926099
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FQA44N08 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
QFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
49.8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 24.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1430 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
163W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3P
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
FQA4
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
2SK1317-E
PRODUCĂTOR
Renesas Electronics Corporation
CANTITATE DISPONIBILĂ
5608
DiGi NUMĂR DE PARTE
2SK1317-E-DG
PREȚ UNIC
3.29
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXTQ75N10P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
3
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTQ75N10P-DG
PREȚ UNIC
2.44
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
JANTX2N7228
MOSFET N-CH 500V 12A TO254AA
JANTXV2N6849
MOSFET P-CH 100V 6.5A TO205AF
FQP44N08
MOSFET N-CH 80V 44A TO220-3
