Numărul de produs al producătorului:
IXTQ75N10P
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTQ75N10P-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 75A TO3P
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
3 Piese Noi Originale În Stoc
12915039
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTQ75N10P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2250 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
360W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3P
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
IXTQ75
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTP27N20T
MOSFET N-CH 200V 27A TO220AB
IRFPF40
MOSFET N-CH 900V 4.7A TO247-3
SIA429DJT-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
