Numărul de produs al producătorului:
JANTXV2N6849
Product Overview
Producător:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
JANTXV2N6849-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 100V 6.5A TO205AF
Descriere detaliată:
P-Channel 100 V 6.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39)
Inventar:
12926106
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
JANTXV2N6849 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
320mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
34.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Clasă
Military
Calificare
MIL-PRF-19500/564
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-205AF (TO-39)
Pachet / Carcasă
TO-205AF Metal Can
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
150-JANTXV2N6849
JANTXV2N6849-MIL
JANTXV2N6849-DG
Pachet standard
1
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FQP44N08
MOSFET N-CH 80V 44A TO220-3
NTE2397
MOSFET N-CHANNEL 400V 10A TO220
JANTX2N6802U
MOSFET N-CH 500V 2.5A 18ULCC
