Numărul de produs al producătorului:
FDP18N20F
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FDP18N20F-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12930621
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FDP18N20F Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
UniFET™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
145mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1180 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
100W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
FDP18
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-FDP18N20F-488
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDPF18N20FT
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDPF18N20FT-DG
PREȚ UNIC
0.60
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRF640NPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
63317
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF640NPBF-DG
PREȚ UNIC
0.41
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
CPH6354-TL-W
MOSFET P-CH 60V 4A 6CPH
NVTFS9D6P04M8L
MOSFET P-CH 20V 8-SOIC
UF3SC120016K3S
SICFET N-CH 1200V 107A TO247-3