Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IRF640NPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF640NPBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
63317 Piese Noi Originale În Stoc
12804294
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF640NPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1160 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IRF640
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IRF640NPBF-DG
Fișe tehnice
IRF640NPBF
Informații suplimentare
Alte nume
SP001570078
*IRF640NPBF
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF640PBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
1594
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF640PBF-DG
PREȚ UNIC
0.73
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
PHP20NQ20T,127
PRODUCĂTOR
NXP Semiconductors
CANTITATE DISPONIBILĂ
8796
DiGi NUMĂR DE PARTE
PHP20NQ20T,127-DG
PREȚ UNIC
1.02
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
PJP18N20_T0_00001
PRODUCĂTOR
Panjit International Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
13119
DiGi NUMĂR DE PARTE
PJP18N20_T0_00001-DG
PREȚ UNIC
0.46
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRFB4620PBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
724
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFB4620PBF-DG
PREȚ UNIC
1.02
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STP17NF25
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
2020
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP17NF25-DG
PREȚ UNIC
0.55
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPP77N06S3-09
MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
IPB041N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
IRF1010ZSTRRPBF
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
IRLIZ34N
MOSFET N-CH 55V 22A TO220AB FP