Numărul de produs al producătorului:
PJP18N20_T0_00001
Product Overview
Producător:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
PJP18N20_T0_00001-DG
Descriere:
TO-220AB, MOSFET
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
13119 Piese Noi Originale În Stoc
12964785
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PJP18N20_T0_00001 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
PANJIT
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1017 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
89W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
PJP18
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
3757-PJP18N20_T0_00001
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
2N7002K_R1_00001
SOT-23, MOSFET
SQJQ148ER-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
SSM3J140TU,LXHF
SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
