Numărul de produs al producătorului:
NVTFS9D6P04M8L
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
NVTFS9D6P04M8L-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 8-SOIC
Descriere detaliată:
P-Channel 40 V 13A (Ta), 64A (Tc) 3.2W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Inventar:
12930641
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
NVTFS9D6P04M8L Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
13A (Ta), 64A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 580µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
34.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2312 pF @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.2W (Ta), 75W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-WDFN (3.3x3.3)
Pachet / Carcasă
8-PowerWDFN
Numărul de bază al produsului
NVTFS9
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
NVTFS9D6P04M8LTAG
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
22120
DiGi NUMĂR DE PARTE
NVTFS9D6P04M8LTAG-DG
PREȚ UNIC
0.50
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
UF3SC120016K3S
SICFET N-CH 1200V 107A TO247-3
UJ3C120150K3S
SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3
UJ3C120040K3S
SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
