Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
FCP165N65S3R0
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FCP165N65S3R0-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 154W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
RFQ Online
12838028
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FCP165N65S3R0 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
SuperFET® III
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.9mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
154W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
FCP165
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
FCP165N65S3R0-DG
Fișe tehnice
FCP165N65S3R0
Informații suplimentare
Alte nume
2156-FCP165N65S3R0-488
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SPP20N60C3XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
6171
DiGi NUMĂR DE PARTE
SPP20N60C3XKSA1-DG
PREȚ UNIC
2.45
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STP28N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1020
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP28N60M2-DG
PREȚ UNIC
1.40
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
FCP165N65S3
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCP165N65S3-DG
PREȚ UNIC
1.68
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMĂRUL PARTEI
FCH165N65S3R0-F155
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
444
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCH165N65S3R0-F155-DG
PREȚ UNIC
2.80
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMĂRUL PARTEI
SIHP22N60AE-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
SIHP22N60AE-GE3-DG
PREȚ UNIC
1.72
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDZ204P
MOSFET P-CH 20V 4.5A 9BGA
FQB9P25TM
MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK
FQPF5N60CYDTU
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F-3
FQA62N25C
MOSFET N-CH 250V 62A TO3PN