Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
FCH165N65S3R0-F155
Product Overview
Producător:
onsemi
DiGi Electronics Cod de parte:
FCH165N65S3R0-F155-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 154W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
444 Piese Noi Originale În Stoc
12847465
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FCH165N65S3R0-F155 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
onsemi
Ambalare
Tube
Serie
SuperFET® III
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.9mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
154W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
FCH165
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
FCH165N65S3R0-F155-DG
Fișe tehnice
FCH165N65S3R0-F155
Informații suplimentare
Alte nume
2156-FCH165N65S3R0-F155
Pachet standard
450
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STW28N60DM2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW28N60DM2-DG
PREȚ UNIC
1.76
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPW60R170CFD7XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPW60R170CFD7XKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.72
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
SIHG24N65EF-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
SIHG24N65EF-GE3-DG
PREȚ UNIC
2.76
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
TK20N60W5,S1VF
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
8
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK20N60W5,S1VF-DG
PREȚ UNIC
1.67
TIP SUBSTITUT
Direct
NUMĂRUL PARTEI
STW26NM60N
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
204
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW26NM60N-DG
PREȚ UNIC
3.60
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FQPF7N10L
MOSFET N-CH 100V 5.5A TO220F
FDFS2P753AZ
MOSFET P-CH 30V 3A 8SOIC
NTMS4503NR2G
MOSFET N-CH 28V 9A 8SOIC
FQP6N80
MOSFET N-CH 800V 5.8A TO220-3