Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SIHP22N60AE-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHP22N60AE-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
RFQ Online
12920795
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHP22N60AE-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
E
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1451 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
179W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SIHP22
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
SIHP22N60AE-GE3-DG
Fișe tehnice
SIHP22N60AE-GE3
Informații suplimentare
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SIHP22N60AE-BE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
1946
DiGi NUMĂR DE PARTE
SIHP22N60AE-BE3-DG
PREȚ UNIC
1.59
TIP SUBSTITUT
Direct
NUMĂRUL PARTEI
TK16E60W,S1VX
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
39
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK16E60W,S1VX-DG
PREȚ UNIC
1.10
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STP28NM60ND
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
133
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP28NM60ND-DG
PREȚ UNIC
3.12
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPP60R190E6XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1985
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP60R190E6XKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.41
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FCP190N65S3
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCP190N65S3-DG
PREȚ UNIC
1.44
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQ2360EES-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
SIHU5N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251AA
NTP6448ANG
MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
SIHG22N60AEL-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC