Numărul de produs al producătorului:
BUK7E4R6-60E,127
Product Overview
Producător:
NXP Semiconductors
DiGi Electronics Cod de parte:
BUK7E4R6-60E,127-DG
Descriere:
NEXPERIA BUK7E4 - TRANSISTOR >30
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 234W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
2920 Piese Noi Originale În Stoc
12967948
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BUK7E4R6-60E,127 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
NXP Semiconductors
Ambalare
Bulk
Serie
TrenchMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6230 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
234W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
I2PAK
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-BUK7E4R6-60E,127-954
Pachet standard
435
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDMC8884
9A, 30V, 0.019OHM, N-CHANNEL POW
ISC0603NLSATMA1
MOSFET N-CH 80V 12.3A/56A TDSON
IPT60R102G7E8236XTMA1
HIGH POWER_NEW
