Numărul de produs al producătorului:
ISC0603NLSATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
ISC0603NLSATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 80V 12.3A/56A TDSON
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 12.3A (Ta), 56A (Tc) 2.5W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Inventar:
12967955
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
ISC0603NLSATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™ 5
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12.3A (Ta), 56A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 24µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 40 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TDSON-8-6
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
ISC0603N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
448-ISC0603NLSATMA1TR
448-ISC0603NLSATMA1CT
SP005430400
448-ISC0603NLSATMA1DKR
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
ISC0602NLSATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
11602
DiGi NUMĂR DE PARTE
ISC0602NLSATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.59
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPT60R102G7E8236XTMA1
HIGH POWER_NEW
PH2525L,115
NEXPERIA PH2525L - 100A, 25V, 0.
RFD8P06LE
8A, 60V, 0.33OHM, P-CHANNEL POWE
