Numărul de produs al producătorului:
PH2525L,115
Product Overview
Producător:
NXP Semiconductors
DiGi Electronics Cod de parte:
PH2525L,115-DG
Descriere:
NEXPERIA PH2525L - 100A, 25V, 0.
Descriere detaliată:
N-Channel 25 V 100A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventar:
4100 Piese Noi Originale În Stoc
12967958
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PH2525L,115 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
NXP Semiconductors
Ambalare
Bulk
Serie
TrenchMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
25 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.15V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
34.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4470 pF @ 12 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
62.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
LFPAK56, Power-SO8
Pachet / Carcasă
SC-100, SOT-669
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-PH2525L,115-954
Pachet standard
1,268
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RFD8P06LE
8A, 60V, 0.33OHM, P-CHANNEL POWE
2SK3415LS
2SK3415LS - MOSFET 40A, 60V, 0.
CPH3431-TL-E
N-CHANNEL SILICON MOSFET FOR GEN