APT10035LLLG
Numărul de produs al producătorului:

APT10035LLLG

Product Overview

Producător:

Microchip Technology

DiGi Electronics Cod de parte:

APT10035LLLG-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 1000V 28A TO264
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 28A (Tc) 690W (Tc) Through Hole TO-264 [L]

Inventar:

RFQ Online
13248588
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

APT10035LLLG Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microchip Technology
Ambalare
Tube
Serie
POWER MOS 7®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
186 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5185 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
690W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-264 [L]
Pachet / Carcasă
TO-264-3, TO-264AA
Numărul de bază al produsului
APT10035

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
APT10035(B2,L)LL

Informații suplimentare

Pachet standard
25

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
microchip-technology

APT10M11JVRU2

MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

microchip-technology

APT12057B2FLLG

MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

microsemi

JANSR2N7389

MOSFET P-CH 100V 6.5A TO205AF

microchip-technology

APT77N60SC6

MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK