JANSR2N7389
Numărul de produs al producătorului:

JANSR2N7389

Product Overview

Producător:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Cod de parte:

JANSR2N7389-DG

Descriere:

MOSFET P-CH 100V 6.5A TO205AF
Descriere detaliată:
P-Channel 100 V 6.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39)

Inventar:

RFQ Online
13249453
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

JANSR2N7389 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 6.5A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 12 V
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C
Clasă
Military
Calificare
MIL-PRF-19500/630
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-205AF (TO-39)
Pachet / Carcasă
TO-205AF Metal Can

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
JANSx2N7389

Informații suplimentare

Alte nume
JANSR2N7389-ND
150-JANSR2N7389
Pachet standard
1

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
microchip-technology

APT77N60SC6

MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK

microchip-technology

MSC080SMA120S

SICFET N-CH 1200V 35A D3PAK

microchip-technology

APT10035JLL

MOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOP

microchip-technology

APT8024LFLLG

MOSFET N-CH 800V 31A TO264