APT12057B2FLLG
Numărul de produs al producătorului:

APT12057B2FLLG

Product Overview

Producător:

Microchip Technology

DiGi Electronics Cod de parte:

APT12057B2FLLG-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 22A (Tc) 690W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

Inventar:

RFQ Online
13249425
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

APT12057B2FLLG Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microchip Technology
Ambalare
Tube
Serie
POWER MOS 7®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
570mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5155 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
690W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
T-MAX™ [B2]
Pachet / Carcasă
TO-247-3 Variant
Numărul de bază al produsului
APT12057

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
APT12057(B2,L)FLL

Informații suplimentare

Pachet standard
30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
microsemi

JANSR2N7389

MOSFET P-CH 100V 6.5A TO205AF

microchip-technology

APT77N60SC6

MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK

microchip-technology

MSC080SMA120S

SICFET N-CH 1200V 35A D3PAK

microchip-technology

APT10035JLL

MOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOP