Numărul de produs al producătorului:
IXTU05N100
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTU05N100-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1000V 750MA TO251
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 750mA (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-251AA
Inventar:
12908960
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTU05N100 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
750mA (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
17Ohm @ 375mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
7.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
260 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
40W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-251AA
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
IXTU05
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
75
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFK90N30
MOSFET N-CH 300V 90A TO-264
IRFBF20STRLPBF
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
IXFT26N60P
MOSFET N-CH 600V 26A TO268